<<
>>

Рефракция s-и р-поляризованной плоской электромагнитной волны на границе «немагнитный диэлектрик - скомпенсированный легкоосный центроантисимметричный антиферромагнетик». Продольная магнитооп­тическая конфигурация

Следуя [15], в качестве примера АФМ среды, позволяющей проанализи­ровать роль четности магнитной структуры, по-прежнему будем рассматривать двухподрешеточную (M1, M2- намагниченности подрешеток,

модель тетрагонального ЛО АФМ со структурой, при условии

В этом случае линейная ЭМ динамика обсуждаемого ЦАС АФМ в линейном по амплитуде приближении будет описываться материальными соот­ношениями (1.2.2) - (1.2.3).

Таким образом, для того, чтобы преломленная в ЦАС АФМ плоская ЭМ волна была TM- и ТЕ-типа, необходимо, чтобы в са­гиттальной плоскости одновременно лежали q иСледует отметить, что

для центросиметричного (ЦС) ЛО АФМ с (1.2.1) приматери­

альные соотношения с учетом взаимодействия Дзялошинского

структурно соответствуют (1.2.2) - (1.2.3) при- коэффи­

циент взаимодействия Дзялошинского). В этом случае частотная зависимость проницаемостей будет иметь место только лгив то время как диэлектриче­ская проницаемостьостанется частотно независимой.

Совместный анализ (1.2.1)-(1.2.8) показывает, что если волновой вектор ЭМ волны ТЕ- (ТМ-) типа, падающей на границу раздела немагнитного диэлектрика с ЛО АФМ k ∈YZ, то при q Il OYнеобходимые условия существования объемных волн для ЦС и ЦАС ЛО АФМ ссущественно различны. Для рассматриваемой

MOK наличие ЦДС в ЛО АФМ приводит, по сравнению с ЦС ЛО АФМ, к не­взаимности относительно инверсии знака тангенциальной составляющей вол­нового вектора как объемных, так и эванесцентных волн TM- (ТЕ-) типа на плоскости ω-h(см. Приложение 3) . В частности, при одном и том же знаке

33

угла падения волны на поверхность JIO АФМ со структуройвозможна

реализация как нормального преломления, так и эффекта отрицательной реф­ракции, для всех представленных на рисунке 3 вариантов сечений ПВВ.

Кроме этого, наблюдается зависимость характера рефракции прелом- леннйо волны TM- или ТЕ типа от “интенсивности “ МЭ взаимодействия ( т.е. от величины γ3по сравнению с

Имеют место также и случаи, когда прохождение плоской ЭМ волны в среду, занятую UAC JIO АФМ, возможно только при одном знаке угла падения (см. Приложение 3, Рис. 2 г,з).

Таким образом, из проведенного анализа следует, что реализация эффекта левой среды с участием волны TM- или ТЕ-типа на границе раздела немагнит­ного диэлектрика и скомпенсированного одним из выше рассмотренных видов спиновых структур невозможна как при так и приРезультаты данного раздела были опубликованы в [2-а].

1.4.

<< | >>
Источник: ТАРАСЕНКО АРТЕМ СЕРГЕЕВИЧ. ПОВЕРХНОСТНАЯ СПИН-ВОЛНОВАЯ ЭЛЕКТРОДИНАМИКА АНТИФЕРРОМАГНИТНЫХ СРЕД C ЦЕНТРОМ АНТИСИММЕТРИИ. ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Донецк - 2019. 2019

Еще по теме Рефракция s-и р-поляризованной плоской электромагнитной волны на границе «немагнитный диэлектрик - скомпенсированный легкоосный центроантисимметричный антиферромагнетик». Продольная магнитооп­тическая конфигурация:

  1. Рефракция s-и р- поляризованной плоской ЭМ волны на границе «не­магнитный диэлектрик - некомпенсированный JIO АФМ с ЦАС»
  2. ГЛАВА I. ЭФФЕКТЫ НЕВЗАИМНОСТИ ПРИ ПРОХОЖДЕНИИ ПЛОСКОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ TM- (ТЕ-) ТИПА ЧЕРЕЗ ГРАНИЦУ РАЗДЕЛА НЕМАГНИТНОГО ДИЭЛЕКТРИКА И АНТИФЕР­РОМАГНЕТИКА C ЦЕНТРОМ АНТИСИММЕТРИИ
  3. Особенности рефракции объемной волны TM- или ТЕ-типа, падающей извне на поверхность скомпенсированного легкоосного антиферромагне­тика (АФМ) с центром антисимметрии (ЦАС). Полярная магнитооптиче­ская конфигурация
  4. Свойства эванесцентных волн в электрически поляризованном ди­электрике. Скомпенсированный АФМ.
  5. 4.1. Особенности резонансного прохождения волны TM (ТЕ-) типа через пластину антиферромагнетика в скрещенных магнитном и электрическом полях
  6. П.З Частотная зависимость условий существования объемных и эванесцентных волн TM- (ТЕ-) типа и соответствующих типов сечений ПВВ в коллинеарной фазе скомпенсированного ЛО АФМ с ЦАС. Продольная МОК.
  7. Особая поверхностная волна (ОПВ) как условие максимального уси­ления интенсивности эванесцентной электромагнитной волны в прозрач­ной диэлектрической среде
  8. Усиление эффекта Гуса-Хенхен на уединенной границе немагнитной и АФМ сред в присутствии постоянного внешнего магнитного или электри­ческого поля
  9. Усиление эффекта Гуса-Хенхен на уединенной границе немагнитной и АФМ сред в скрещенных постоянных внешних магнитном и электриче­ском полях
  10. ГЛАВА III. НОВЫЙ МЕХАНИЗМ УСИЛЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЭФФЕКТА ГУСА-ХЕНХЕН НА УЕДИНЕННОЙ ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ НЕМАГНИТНОЙ И АФМ ДИЭЛЕКТРИ­ЧЕСКИХ СРЕД
  11. ОПВ как вытекающая волна на уединенной границе раздела сред (но­вый механизм поверхностного поляритонного резонанса, новый механизм усиления пространственного эффекта Гуса-Хенхен на границе раздела прозрачных сред)